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電子の移動速度を損なうことなく電流を遮断できるグラフェン「Barristor」を活用した新しいトランジスタ構造を開発-サムスン

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1 :依頼29-183 二軍ニュース+板記者募集中!@pureφ ★:2012/05/23(水) 23:57:53.65 ID:???
サムスン 夢の素材・グラフェンで画期的な技術開発

【ソウル聯合ニュース】サムスン電子が「夢の新素材」と呼ばれる炭素素材グラフェンを活用した新しい
トランジスタ構造を開発した。グラフィンを活用したトランジスタが完成すれば、従来の100倍以上のデータ
処理能力が可能になるとされる。

 サムスン電子は18日、従来のシリコンの限界を克服し、未来トランジスタの開発可能性を高める同社
総合技術院の論文が17日付のサイエンス誌(電子版)に掲載されたと明らかにした。

 半導体にはシリコン素材のトランジスタが数十億個含まれているが、半導体の性能を高めるためには
トランジスタを小さくすることで移動距離を縮めたり、電子の移動速度を高められる素材が必要だ。

 優れた移動速度を持つグラフェンはシリコンにとってかわる物質として脚光を浴びているが、電流を遮断
できないという問題点がある。

 トランジスタでは電流の流れと遮断によってデジタル信号「0」と「1」が発生するため、グラフェンをシリコンの
代わりに商用化するためには半導体化のプロセスを変える必要がある。この過程でグラフェンの移動速度が
急落するため、トランジスタとして使うことには否定的な意見が多かった。

 今回、サムスン電子は新たな動作原理を適用し、グラフェンの長所を損なうことなく電流を遮断することの
できる素材を開発した。

 グラフェンとシリコンを接合し、ショットキー障壁(ショットキーバリア)というエネルギーの壁をつくる。また壁の
高さを調節することで電流を発生させたり、消したりできる。

 バリア(Barrier)を自在に調節することから、サムスン電子は新素材を「Barristor(バリスタ)」と命名した。

 今回の論文はグラフェン素材研究の最大の難点を解決し、今後の研究における新しい方向性を示すと
される。まあ、関連分野をリードする基盤を構築したとも評価されている。

 現在、サムスン電子はグラフェンを用いたトランジスタの動作方式に関する中核技術を九つ確保している。

 サムスン電子総合技術院のパク・ソンジュン専門研究員は「グラフェン素材についての研究はようやく方向性が
見えた。シリコン技術の拡張に寄与することはもちろん、半導体素材として使えるよう研究を続ける」と話した。

聯合ニュース/中央日報 2012年05月18日19時29分
http://japanese.joins.com/article/354/152354.html

Graphene Barristor, a Triode Device with a Gate-Controlled Schottky Barrier
Heejun Yang, Jinseong Heo, Seongjun Park, Hyun Jae Song, David H. Seo, Kyung-Eun Byun,
Philip Kim, InKyeong Yoo, Hyun-Jong Chung, Kinam Kim
Science DOI: 10.1126/science.1220527 Published Online May 17 2012
http://www.sciencemag.org/content/early/2012/05/16/science.1220527

Fig. 1 Graphene Barristor. (A) A schematic diagram to show the concept of a GB. (B) False colored scanning
electron microscopy image of the GB before the top gate fabrication process. (C) Current versus bias voltage
characteristic of a GB at a fixed gate voltage Vgate = 0 V, showing a Schottky diode characteristic. The inset
shows a transmission electron microscope image of graphene/silicon junction. No native oxide or defect is
seen in the image. (D) A photograph of ~2000 GB arrays implemented on a 6 inch wafer.
【化学/エネルギー】電子輸送層とホール輸送層の2つの分子グラフェンの接合に成功―東大など 画像あり
【半導体】未来の半導体実現にまた一歩、夢の素材「グラフェン」を活用 画像あり

5 :名無しのひみつ:2012/05/24(木) 00:27:46.38 ID:pJ6Uh6yE
東アでも見たなこの記事。
あっちでは記事に実用化まで10年かかるって書いてあったが


8 :名無しのひみつ:2012/05/24(木) 00:38:11.07 ID:O6ovY40b
>>5

そりゃこれに限らず新構造の素子が数年で実用化できるわけ無いだろ


21 :名無しのひみつ:2012/05/24(木) 03:51:54.03 ID:pJ6Uh6yE
>>8
この板で嫌韓ネタはあまり言いたくないが、あの国の10年は他の国の100年に相当することがあるから。


14 :名無しのひみつ:2012/05/24(木) 01:06:33.10 ID:Asr3qh2R
株価対策か、製品化されたら呼んでくれ。


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